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Tese (Doutorado)
Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Quivy, Alain André (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: CÉLULAS SOLARES, NANOPARTÍCULAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs. 2023. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2023. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos. (2023). Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
NLM
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Vancouver
Santos TB dos. Viabilidade e desenvolvimento de células solares de banda intermediária baseadas em GaAs com pontos quânticos de submonocamada de InAs/GaAs [Internet]. 2023 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-28062023-172027/
Artigo de periodico
Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction (2023)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Lima, Marcelo Delmondes de; Jacobsen, Gabriel Marques ; Huang, T Y; Yang, Y C; Cantalice, Tiago Fernandes de ; Goldman, R S; Teodoro, M D; Quivy, Alain André
Source: Solar Energy Materials and Solar Cells. Unidade: IF
Assunto: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, v. 254, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Lima, M. D. de, Jacobsen, G. M., Huang, T. Y., Yang, Y. C., et al. (2023). Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction. Solar Energy Materials and Solar Cells, 254. doi:10.1016/j.solmat.2023.112281
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Lima MD de, Jacobsen GM, Huang TY, Yang YC, Cantalice TF de, Goldman RS, Teodoro MD, Quivy AA. Viability of intermediate band solar cells based on InAs/GaAs submonolayer quantum dots and the role of surface reconstruction [Internet]. Solar Energy Materials and Solar Cells. 2023 ; 254[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.solmat.2023.112281
Trabalho de evento
On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Huang, Tao-Yu; Yang, Yu-Chen; Goldman, Rachel S; Quivy, Alain André
Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: TOMOGRAFIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. 2022, Anais.. New York: IEEE, 2022. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Huang, T. -Y., Yang, Y. -C., Goldman, R. S., & Quivy, A. A. (2022). On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices. In . New York: IEEE. doi:10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
NLM
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Vancouver
Santos TB dos, Huang T-Y, Yang Y-C, Goldman RS, Quivy AA. On the importance of atom probe tomography for the development of new nanoscale devices [Internet]. 2022 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMICRO55822.2022.9881039
Artigo de periodico
Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots (2022)
Cantalice, Tiago Fernandes de ; Alzeidan, Ahmad ; Jacobsen, G M ; Santos, Thales Borrely dos ; Teodoro, M D ; Quivy, Alain André
Source: Micro and Nanostructures. Unidade: IF
Assunto: POÇOS QUÂNTICOS
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ABNT
CANTALICE, Tiago Fernandes de et al. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, v. 172, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Cantalice, T. F. de, Alzeidan, A., Jacobsen, G. M., Santos, T. B. dos, Teodoro, M. D., & Quivy, A. A. (2022). Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots. Micro and Nanostructures, 172. doi:10.1016/j.micrna.2022.207449
NLM
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Vancouver
Cantalice TF de, Alzeidan A, Jacobsen GM, Santos TB dos, Teodoro MD, Quivy AA. Evidence of weak strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots [Internet]. Micro and Nanostructures. 2022 ; 172[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2022.207449
Trabalho de evento-resumo
ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL (2022)
Santos, Thales Borrely dos ; Alzeidan, Ahmad ; Quivy, Alain André ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, M D ; Gajjela, Raja Sekhar Reddy ; Hendriks, A L; Koenraad, P M
Source: Resumos. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: ÓPTICA ELETRÔNICA
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. 2022, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 2022. . Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Alzeidan, A., Quivy, A. A., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gajjela, R. S. R., et al. (2022). ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 28 ]
Vancouver
Santos TB dos, Alzeidan A, Quivy AA, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gajjela RSR, Hendriks AL, Koenraad PM. ON THE RELATION BETWEEN GROWTH, QUANTUM-DOT MORPHOLOGY, OPTOELECTRONIC PROPERTIES, AND PERFORMANCE IN InAs/GaAs QUANTUM DOT INTERMEDIATE BAND SOLAR CELL. Resumos. 2022 ;[citado 2024 abr. 28 ]
Trabalho de evento-resumo
The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells (2020)
Santos, Thales Borrely dos ; Lima, Marcelo Delmondes de; Fernandes, Paulo Henrique Diniz; Al-Zeidan, Ahmad; Cantalice, Tiago Fernandes de; Quivy, Alain André
Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física. Unidade: IF
Assunto: CÉLULAS SOLARES
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. 2020, Anais.. São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física, 2020. Disponível em: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Lima, M. D. de, Fernandes, P. H. D., Al-Zeidan, A., Cantalice, T. F. de, & Quivy, A. A. (2020). The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells. In . São Paulo: SBF-Sociedade Brasileira de Física. Recuperado de https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Lima MD de, Fernandes PHD, Al-Zeidan A, Cantalice TF de, Quivy AA. The role of surface reconstruction on the performance of INAS/GAAS submonolayer-quantum-dot intermediate-band solar cells [Internet]. 2020 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://sec.sbfisica.org.br/eventos/eosbf/2020/sys/resumos/R0825-1.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais (2020)
Santos, Thales Borrely dos; Pereira, André L. de Jesus; Leite, Douglas M. G.; Silva Sobrinho, Argemiro S. da; Quivy, Alain André ; Camargo, Davi H. Starnini de; Bufon, Carlos C. Bof
Source: Anais CBENS 2020. Conference titles: Congresso Brasileiro de Energia Solar. Unidade: IF
Subjects: ENERGIA SOLAR, CÉLULAS SOLARES, SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais. Anais CBENS 2020. São Paulo: ABENS-Associação Brasileira de Energia Solar. Disponível em: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811. Acesso em: 28 abr. 2024. , 2020
APA
Santos, T. B. dos, Pereira, A. L. de J., Leite, D. M. G., Silva Sobrinho, A. S. da, Quivy, A. A., Camargo, D. H. S. de, & Bufon, C. C. B. (2020). Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais. Anais CBENS 2020. São Paulo: ABENS-Associação Brasileira de Energia Solar. Recuperado de https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
NLM
Santos TB dos, Pereira AL de J, Leite DMG, Silva Sobrinho AS da, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais [Internet]. Anais CBENS 2020. 2020 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
Vancouver
Santos TB dos, Pereira AL de J, Leite DMG, Silva Sobrinho AS da, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Otimização de células solares de heteroestruturas III-V baseada em dados experimentais [Internet]. Anais CBENS 2020. 2020 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://anaiscbens.emnuvens.com.br/cbens/article/view/811
Trabalho de evento-anais periodico
Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy (2019)
Santos, Thales Borrely dos; Quivy, Alain André
Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: EPITAXIA POR FEIXE MOLECULAR, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412. Acesso em: 28 abr. 2024. , 2019
APA
Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919412
NLM
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
Vancouver
Santos TB dos, Quivy AA. Realistic Simulations and Design of GaAs Solar Cells produced by Molecular Beam Epitaxy [Internet]. IEEE. 2019 ;04.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919412
Trabalho de evento-resumo
Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells (2019)
Santos, Thales Borrely dos ; Lima, Marcelo Delmondes de; Carlos, D F; Gennari, Roseli Fernandes; Teixeira, Fernanda de Sá; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Salvadori, Maria Cecília Barbosa Silveira; Watanabe, Shigueo; Quivy, Alain André; Camargo, D H S de; Bufon, Carlos César Bof
Source: Abstracts. Conference titles: Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física - EOSBF. Unidade: IF
Assunto: ESPECTROS
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ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. 2019, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF, 2019. . Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Lima, M. D. de, Carlos, D. F., Gennari, R. F., Teixeira, F. de S., Chubaci, J. F. D., et al. (2019). Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. In Abstracts. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF.
NLM
Santos TB dos, Lima MD de, Carlos DF, Gennari RF, Teixeira F de S, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Watanabe S, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 28 ]
Vancouver
Santos TB dos, Lima MD de, Carlos DF, Gennari RF, Teixeira F de S, Chubaci JFD, Salvadori MCBS, Watanabe S, Quivy AA, Camargo DHS de, Bufon CCB. Al2O3, TiO2 and Al2O3/TiO2 anti-reflective coatings for high efficiency GaAs solar cells. Abstracts. 2019 ;[citado 2024 abr. 28 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves (2019)
Lima, Marcelo D. de; Santos, Thales Borrely dos; Quivy, Alain André
Source: IEEE. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices (SBMicro). Unidade: IF
Subjects: SIMULAÇÃO DE SISTEMAS, FOTODETECTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LIMA, Marcelo D. de e SANTOS, Thales Borrely dos e QUIVY, Alain André. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. Disponível em: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450. Acesso em: 28 abr. 2024. , 2019
APA
Lima, M. D. de, Santos, T. B. dos, & Quivy, A. A. (2019). Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves. IEEE. New York: IEEE-Institute of Electrical and Electronics Engineers. doi:10.1109/SBMicro.2019.8919450
NLM
Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
Vancouver
Lima MD de, Santos TB dos, Quivy AA. Evaluation of Surface Recombination Velocity by Means of Computational Simulations and I×V Curves [Internet]. IEEE. 2019 ;03.[citado 2024 abr. 28 ] Available from: https://doi.org/10.1109/SBMicro.2019.8919450
Dissertação (Mestrado)
Controle de propriedades de filmes finos de óxido de alumínio através da assistência de feixes iônicos (2017)
Santos, Thales Borrely dos; Chubaci, José Fernando Diniz (Orientador)
Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, FEIXES, ALUMINA, RAIOS X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos. Controle de propriedades de filmes finos de óxido de alumínio através da assistência de feixes iônicos. 2017. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2017. Disponível em: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062017-212721/. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos. (2017). Controle de propriedades de filmes finos de óxido de alumínio através da assistência de feixes iônicos (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062017-212721/
NLM
Santos TB dos. Controle de propriedades de filmes finos de óxido de alumínio através da assistência de feixes iônicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062017-212721/
Vancouver
Santos TB dos. Controle de propriedades de filmes finos de óxido de alumínio através da assistência de feixes iônicos [Internet]. 2017 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-03062017-212721/
Trabalho de evento-resumo
The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide (2016)
Santos, Thales Borrely dos ; Matsuoka, Masao; Chubaci, Jose Fernando Diniz; Mendonça, Bianca Jardim
Source: Posters - Resumos. Conference titles: Encontro de Física. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide. 2016, Anais.. São Paulo: SBF, 2016. Disponível em: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Matsuoka, M., Chubaci, J. F. D., & Mendonça, B. J. (2016). The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide. In Posters - Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Matsuoka M, Chubaci JFD, Mendonça BJ. The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Matsuoka M, Chubaci JFD, Mendonça BJ. The end of Moore’s Law: alumina thin films produced by ion beam assisted deposition as gate oxide [Internet]. Posters - Resumos. 2016 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2016/sys/resumos/R2116-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films (2012)
Santos, Thales Borrely dos ; Mendonça, B. J.; Chinaglia, E. de F.; Chubaci, J. D. F.; Matsuoka, M.
Source: Resumo. Conference titles: XXXV Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films. 2012, Anais.. Águas de Lindóia: SBF, 2012. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Mendonça, B. J., Chinaglia, E. de F., Chubaci, J. D. F., & Matsuoka, M. (2012). Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films. In Resumo. Águas de Lindóia: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Mendonça BJ, Chinaglia E de F, Chubaci JDF, Matsuoka M. Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Mendonça BJ, Chinaglia E de F, Chubaci JDF, Matsuoka M. Production and characterization of high dieletric constant oxide thin films [Internet]. Resumo. 2012 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxxv/sys/resumos/R0657-1.pdf
Trabalho de evento-resumo
Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD (2011)
Santos, Thales Borrely dos ; Chubaci, José F D; Matsuoka, Masao; Watanabe, Shigueo; Hattori, Yocefu; Souza, Pedro O de; Gennary, Rosely F
Source: Resumo. Conference titles: Econtro de Física. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SANTOS, Thales Borrely dos et al. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. 2011, Anais.. Foz do Iguaçu: SBF, 2011. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf. Acesso em: 28 abr. 2024.
APA
Santos, T. B. dos, Chubaci, J. F. D., Matsuoka, M., Watanabe, S., Hattori, Y., Souza, P. O. de, & Gennary, R. F. (2011). Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD. In Resumo. Foz do Iguaçu: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
NLM
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf
Vancouver
Santos TB dos, Chubaci JFD, Matsuoka M, Watanabe S, Hattori Y, Souza PO de, Gennary RF. Electrical and optical properties of aluminum oxide thin films produced by IBAD [Internet]. Resumo. 2011 ;[citado 2024 abr. 28 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enf/2011/sys/resumos/R3276-1.pdf

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